| 发明名称 | 具有改进的温度稳定性的金属氧化物TFT | ||
| 摘要 | 本发明涉及金属氧化物薄膜晶体管，其包括金属氧化物半导体沟道，所述金属氧化物半导体具有处于第一能级的导带。所述晶体管还包括覆盖所述金属氧化物半导体沟道的至少一部分的钝化材料层。所述钝化材料具有处于第二能级的导带，所述第二能级等于所述第一能级或比所述第一能级高不到0.5eV。 | ||
| 申请公布号 | CN104885189A | 申请公布日期 | 2015.09.02 |
| 申请号 | CN201380066569.1 | 申请日期 | 2013.12.12 |
| 申请人 | 希百特股份有限公司 | 发明人 | 谢泉隆;法特·弗恩格;于尔根·穆佐尔夫;俞钢 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 杨青;穆德骏 |
| 主权项 | 一种金属氧化物薄膜晶体管，其包含：金属氧化物半导体沟道，所述金属氧化物半导体具有处于第一能级的导带；和覆盖所述金属氧化物半导体沟道的至少一部分的钝化材料层，所述钝化材料具有处于第二能级的导带，所述第二能级等于所述第一能级或比所述第一能级高不到0.5eV。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||