一种新型小倾角半台面结构的碳化硅雪崩光电二极管

摘要

本发明公开了一种新型小倾角半台面结构的碳化硅雪崩光电二极管，为n-i-p结构或p-i-n结构；新型小倾角半台面结构的碳化硅雪崩光电二极管从顶部至i层上刻蚀有小角度倾斜台面，小角度倾斜台面为上小下大的锥状，小角度倾斜台面的底角小于20°。本发明新型小倾角半台面结构的碳化硅雪崩光电二极管，克服了现有技术中的偏见，通过降低倾斜台面深度，在不改变倾斜台面倾角的情况下，有效减小了倾斜台面的长度，有效提高了SiC APD器件的填充因子，即在提升SiC APD器件的填充因子的同时，SiC APD台面周围的电场尖峰仍可以得到有效抑制。

主权项

一种新型小倾角半台面结构的碳化硅雪崩光电二极管，其特征在于:为n‑i‑p结构或p‑i‑n结构；新型小倾角半台面结构的碳化硅雪崩光电二极管从顶部至i层上刻蚀有小角度倾斜台面，小角度倾斜台面为上小下大的锥状，小角度倾斜台面的底角小于20°。