薄膜晶体管、阵列基板及其制作方法、显示装置

摘要

本发明的实施例提供一种薄膜晶体管、阵列基板及其制作方法、显示装置，涉及电子技术领域，可降低有源层与源漏极之间形成的欧姆接触电阻。该方法包括：在形成源漏极的步骤与形成非晶硅半导体层的步骤之间，还包括：形成扩散抑制层，所述扩散抑制层用于降低所述源漏极内金属原子向所述半导体层扩散的能力；使得从所述扩散抑制层扩散出的金属原子，与所述半导体层中靠近所述源漏极的部分中的非晶硅反应，生成含有金属硅化物的金属过渡层。该方法可应用于薄膜晶体管的制作工艺中。

主权项

一种薄膜晶体管的制作方法，包括：在衬底基板上形成源漏极、以及半导体层，其特征在于，其中，所述源漏极内包含有具备扩散能力的金属原子；所述半导体层的材料为非晶硅；在形成所述源漏极的步骤与形成所述半导体层的步骤之间，所述方法还包括：形成扩散抑制层，所述扩散抑制层用于降低所述源漏极内金属原子向所述半导体层扩散的能力；使得从所述扩散抑制层扩散出的金属原子，与所述半导体层中靠近所述源漏极的部分中的非晶硅反应，生成含有金属硅化物的金属过渡层。