| 发明名称 | 一种用于提高写效率的分离栅闪存结构 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种用于提高写效率的分离栅闪存结构，包括：布置在衬底中的沟道区上的栅极氧化层上的用于控制写操作的第一多晶硅栅极、布置在第一多晶硅栅极两侧的第一浮栅和第二浮栅、布置在第一多晶硅栅极与第一浮栅之间的第一ONO结构、布置在第一多晶硅栅极与第二浮栅之间的第二ONO结构、布置在第一浮栅的与第一多晶硅栅极相对的一侧的第一通道控制多晶硅栅、以及布置在第二浮栅与第一多晶硅栅极相对的一侧的第二通道控制多晶硅栅。第一通道控制多晶硅栅与第一浮栅之间以及第二通道控制多晶硅栅与第二浮栅之间分别由二氧化硅侧墙结构隔离。第一浮栅、第二浮栅、第一通道控制多晶硅栅以及第二通道控制多晶硅栅分别与第一多晶硅栅极平行。 | ||
| 申请公布号 | CN104882472A | 申请公布日期 | 2015.09.02 |
| 申请号 | CN201510309099.8 | 申请日期 | 2015.06.07 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 张凌越 |
| 分类号 | H01L29/423(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/423(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅 |
| 主权项 | 一种用于提高写效率的分离栅闪存结构，其特征在于包括：布置在衬底中的沟道区上的栅极氧化层上的用于控制写操作的第一多晶硅栅极、布置在第一多晶硅栅极两侧的第一浮栅和第二浮栅、布置在第一多晶硅栅极与第一浮栅之间的第一ONO结构、布置在第一多晶硅栅极与第二浮栅之间的第二ONO结构、布置在第一浮栅的与第一多晶硅栅极相对的一侧的第一通道控制多晶硅栅、以及布置在第二浮栅与第一多晶硅栅极相对的一侧的第二通道控制多晶硅栅。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||