发明名称 |
层状复合结构可调控电容和压电应力调控介电的方法 |
摘要 |
本发明公布一种包括铁电压电片和铁电介电体的层状复合结构的可调控电容和通过施加静电场和利用压电效应产生的压电应力来调控复合结构中介电体电容的调控方法。所述铁电压电片和铁电介电体通过紧密粘接或共烧在一起构成多种层状复合结构;介电体为被调控的片状介电体;在静电场作用下,压电片产生的压电应力或应变传递给被调控的片状铁电介电体,铁电介电体因外应力作用其电畤界面状态发生变化,从而实现对介电电容的调控。本发明有效克服现有可调控电容存在的结构复杂及可调频率范围窄等缺点,具有制作工艺简单,便于实际使用等优点,可广泛用于可调控智能电子器件和设备领域。 |
申请公布号 |
CN104882277A |
申请公布日期 |
2015.09.02 |
申请号 |
CN201510220750.4 |
申请日期 |
2015.05.04 |
申请人 |
北京大学 |
发明人 |
董蜀湘;慈鹏弘;刘国希 |
分类号 |
H01G7/06(2006.01)I |
主分类号 |
H01G7/06(2006.01)I |
代理机构 |
北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 |
代理人 |
苏爱华 |
主权项 |
一种层状复合结构可调控电容,所述可调控电容为静电场‑应力应变耦合可调控电容,包括铁电压电片和铁电介电体,所述铁电压电片和铁电介电体均为片状,铁电压电片的厚度大于铁电介电体的厚度,而且铁电压电片和铁电介电体通过紧密复合在一起构成多种层状复合结构;所述层状复合结构包括至少一个铁电压电片和一个片状铁电介电体;所述铁电介电体为被调控的铁电介电片。 |
地址 |
100871 北京市海淀区颐和园路5号 |