氧化硅层清洗工艺及改善阱注入前光刻残留的方法

摘要

本发明提供一种氧化硅层清洗工艺及改善阱注入前光刻残留的方法，所述方法将氧化硅层表面的残留氨盐去除，消除了残留的氨盐对后续的阱离子注入的影响，所述清洗工艺包括；利用氢氟酸溶液对所述氧化硅层进行厚度调整，去除部分氧化硅层；利用氨水与双氧水的溶液对厚度调整之后的氧化硅层的表面进行颗粒物去除步骤。其中，在所述颗粒物去除步骤之后进行清洗步骤，将所述去除步骤中在氧化硅层表面形成的氨盐去除。

主权项

一种氧化硅层的清洗工艺，所述氧化硅层形成在半导体衬底上，包括：利用氢氟酸溶液对所述氧化硅层进行厚度调整，去除部分氧化硅层；利用氨水与双氧水的溶液对厚度调整之后的氧化硅层的表面进行颗粒物去除步骤；其特征在于，在所述颗粒物去除步骤之后，还包括：进行清洗步骤，将所述去除步骤中在氧化硅层表面形成的氨盐去除。