| 发明名称 | 功率IC器件 | ||
| 摘要 | 本实用新型涉及一种功率IC器件，包括设置在同一芯片上的表层沟道CMOS晶体管和沟槽型功率IGBT晶体管，所述的沟槽型功率IGBT晶体管的发射极和所述的表层沟道CMOS晶体管的栅极设置在同一水平面。本实用新型功率IC器件，采用沟槽型功率IGBT晶体管结构取代传统的平面型IGBT结构，并与表层沟道CMOS晶体管形成在同一个芯片上，这样会在单位面积内增加管芯数，从而提高产量，增加效益。 | ||
| 申请公布号 | CN204614787U | 申请公布日期 | 2015.09.02 |
| 申请号 | CN201520070002.8 | 申请日期 | 2015.01.30 |
| 申请人 | 张家港意发功率半导体有限公司 | 发明人 | 郝建勇;张志娟;周炳 |
| 分类号 | H01L27/06(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人 | 鞠明 |
| 主权项 | 一种功率IC器件，其特征是：包括设置在同一芯片上的表层沟道CMOS晶体管(1)和沟槽型功率IGBT晶体管(2)，所述的沟槽型功率IGBT晶体管(2)的发射极(3)和所述的表层沟道CMOS晶体管(1)的栅极(4)设置在同一水平面。 | ||
| 地址 | 215600 江苏省苏州市张家港市杨舍镇乘航镇东苑路与镇中路交叉处西南角1室 | ||