一种介质辅助两次成形T形栅的制作方法

摘要

本发明公开了一种介质辅助两次成形T形栅的制作方法，通过两次工艺分别制作T形栅的上、下两部分，结合SiN介质辅助，保证了T形栅的几何稳定度，从而获得较高成品率的小尺寸T形栅，减小了器件的寄生参数，提高了器件的性能，特别是高频性能。本发明利用于HMET器件的实际生产，从效果来看，本发明可操作性强，实际效果很好，对器件的性能提升有很好的帮助，具有极好的市场应用前景。本发明的工艺重复性好，工艺窗口大；有利于栅金属的剥离；有利于提高成品率。

主权项

一种介质辅助两次成形T形栅的制作方法，其特征是，包括以下步骤：步骤一，提供一半导体器件，在该半导体器件的表面涂第一层光刻胶；步骤二，在所述第一层光刻胶上涂第二层光刻胶；步骤三，进行电子束直写后采用显影液显影，在第一层光刻胶的上口产生斜角，形成第一次栅金属图形；步骤四，采用湿法自停止腐蚀工艺在露出的半导体器件表面进行腐蚀，得到栅凹槽；步骤五，在步骤四形成的器件表面蒸发栅金属，去除第一层光刻胶、第二层光刻胶以及剥离第二层光刻胶上的金属，得到第一次栅金属；步骤六，在步骤五形成的器件表面生长氮化硅层；步骤七，在步骤六形成的器件表面涂UV135光刻胶；步骤八，进行电子束直写后采用显影液显影，露出至少部分氮化硅层；步骤九，刻蚀氮化硅层，至少完全露出第一次栅金属的表面；步骤十，在步骤九形成的器件表面蒸发栅金属，去除UV135光刻胶以及剥离UV135光刻胶上的金属，得到第二次栅金属；步骤十一，在步骤十形成的器件表面生长钝化介质层，形成完整的T形栅。