| 发明名称 | 电子材料用铜合金及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供镀膜的均匀性优异的电子材料用铜合金。所述电子材料用铜合金，其中，当通过SIM观察与轧制方向平行方向的截面时，在距表层的深度为0.5μm以下的范围内，无定形组织和粒径为不足0.1μm的晶粒所占的面积率为1%以下，在距表层的深度为0.2~0.5μm的范围内，粒径为0.1μm以上且不足0.2μm的晶粒相对于粒径为0.1μm以上的全部晶粒所占的个数比例为47.5%以上。 | ||
| 申请公布号 | CN102803574B | 申请公布日期 | 2015.09.02 |
| 申请号 | CN201180015302.0 | 申请日期 | 2011.03.23 |
| 申请人 | JX日矿日石金属株式会社 | 发明人 | 桑垣宽 |
| 分类号 | C25D5/34(2006.01)I;C22C9/00(2006.01)I;C22C9/01(2006.01)I;C22C9/02(2006.01)I;C22C9/04(2006.01)I;C22C9/05(2006.01)I;C22C9/06(2006.01)I;C22C9/10(2006.01)I;C25D7/00(2006.01)I | 主分类号 | C25D5/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 林毅斌;孟慧岚 |
| 主权项 | 电子材料用铜合金，其中，当通过SIM观察与轧制方向平行方向的截面时，在距表层的深度为0.5μm以下的范围内，无定形组织和粒径为不足0.1μm的晶粒所占的面积率为1%以下，在距表层的深度为0.2~0.5μm的范围内，粒径为0.1μm以上且不足0.2μm的晶粒相对于粒径为0.1μm以上的全部晶粒所占的个数比例为47.5%以上。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||