半导体装置

摘要

本发明提供一种半导体装置。在主元件(24)的源电极(25)和电流检测元件(21)的电流感应电极(22)之间连接电流检测用的电阻。栅极绝缘膜(36)的绝缘耐压比反向偏压时可流过电流检测元件(21)的最大电流与上述电阻之积大。主元件(24)的p主体区域(32)的扩散深度比电流检测元件(21)的p主体区域(31)的扩散深度浅，主元件(24)的p主体区域(32)的端部的曲率比电流检测元件(21)的p主体区域(31)的端部的曲率小。因此，在外加反向偏压时，主元件(24)的p主体区域(32)的端部的电场变得比电流检测元件(21)的p主体区域(31)的端部的电场高，主元件(24)变得易于在电流检测元件(21)之前发生雪崩击穿。

主权项

一种半导体装置，具有：主绝缘栅型半导体元件；尺寸比该主绝缘栅型半导体元件小的电流检测用绝缘栅型半导体元件；以及连接在上述主绝缘栅型半导体元件和上述电流检测用绝缘栅型半导体元件之间的电阻，上述半导体装置根据该电阻两端的电位差来检测流过上述主绝缘栅型半导体元件的电流，其特征在于，在上述半导体装置中，上述主绝缘栅型半导体元件的反向偏压时的电场，比上述电流检测用绝缘栅型半导体元件的反向偏压时的电场高，上述主绝缘栅型半导体元件具有：在第1个第1导电型半导体层的第1主面的表面层上设置的第1个第2导电型半导体区域，上述第1个第1导电型半导体层是指上述主绝缘栅型半导体元件处的导电型半导体层；在该第1个第2导电型半导体区域的表面层上选择性设置的第1个第1导电型高浓度半导体区域；在贯穿该第1个第1导电型高浓度半导体区域和上述第1个第2导电型半导体区域而到达上述第1个第1导电型半导体层的第1沟槽中，隔着第1栅极绝缘膜设置的第1栅电极；与上述第1个第1导电型高浓度半导体区域和上述第1个第2导电型半导体区域相接的第1电极；以及在上述第1个第1导电型半导体层的第2主面侧设置的第2电极，上述电流检测用绝缘栅型半导体元件具有：在第2个第1导电型半导体层的第1主面的表面层上设置的第2个第2导电型半导体区域，上述第2个第1导电型半导体层是指上述电流检测用绝缘栅型半导体元件处的导电型半导体层；在该第2个第2导电型半导体区域的表面层上选择性设置的第2个第1导电型高浓度半导体区域；在贯穿该第2个第1导电型高浓度半导体区域和上述第2个第2导电型半导体区域而到达上述第2个第1导电型半导体层的第2沟槽中，隔着第2栅极绝缘膜设置的第2栅电极；与上述第2个第1导电型高浓度半导体区域和上述第2个第2导电型半导体区域相接的第3电极；以及在上述第2个第1导电型半导体层的第2主面侧设置的第4电极，在上述第1电极和上述第3电极之间连接有上述电阻，上述第2电极与上述第4电极被短路，上述第1沟槽比上述第2沟槽深。