| 发明名称 | 图形化膜层的方法、形成栅极、MOS晶体管的方法 | ||
| 摘要 | 一种图形化膜层的方法、形成栅极、MOS晶体管的方法，所述图形化膜层的方法包括：提供基底；在所述基底上形成图形化的牺牲层；在所述基底上形成需要图形化的膜层，所述膜层的上表面与所述图形化的牺牲层的上表面相平；在所述膜层上形成图形层，所述图形层和图形化的牺牲层共同定义出膜层图形化的图形；以所述图形层为掩膜刻蚀所述膜层，形成图形化的膜层；去除所述图形层、图形化的牺牲层。本技术方案以图形层为掩膜刻蚀膜层时即完成了对膜层的图形化，节省了刻蚀膜层的步骤。 | ||
| 申请公布号 | CN102800576B | 申请公布日期 | 2015.09.02 |
| 申请号 | CN201110139487.8 | 申请日期 | 2011.05.26 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 何其旸;张翼英 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种图形化膜层的方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上形成图形化的牺牲层；在所述基底上形成膜层，所述膜层的上表面与所述图形化的牺牲层的上表面相平；在所述膜层上形成图形层，所述图形层和图形化的牺牲层共同定义出膜层图形化的图形；以所述图形层和图形化的牺牲层为掩膜刻蚀所述膜层，形成图形化的膜层；去除所述图形层、图形化的牺牲层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||