一种预放大器通过控制幅度的失调校正方法

摘要

本发明公开了一种预放大器通过控制幅度的失调校正方法，所述预放大器包括第一PMOS晶体管，第二PMOS晶体管，第三NMOS晶体管，第四NMOS晶体管和第五NMOS晶体管，通过对负载管第一PMOS晶体管MP1与第二PMOS晶体管MP2栅极上的控制信号的幅度进行调节控制，从而调节负载管的导通电阻，进而在电路中出现失调左右两侧支路的电流不等时，也能确保电源到左右两侧输出端节点处的压降相等，从而确保正向输出电压Voutp和反向输出电压Voutn相等，对失调进行校正。本发明的预放大器通过控制幅度的失调校正方法中，不需要在预放大器电路中增设可控电容或MOS管，因此不会对输入端电压造成负载效应。

主权项

一种预放大器通过控制幅度的失调校正方法，所述预放大器包括第一PMOS晶体管，第二PMOS晶体管，第三NMOS晶体管，第四NMOS晶体管和第五NMOS晶体管，所述第一PMOS晶体管的源极连接电源，所述第一PMOS晶体管的漏极和所述第三NMOS晶体管的漏极相连，相连端输出放大器的反向输出电压(Voutn)；所述第二PMOS晶体管的源极连接电源，所述第二PMOS晶体管的漏极和所述第四NMOS晶体管的漏极相连，相连端输出放大器的正向输出电压(Voutp)；所述第三NMOS晶体管的源极与所述第五NMOS晶体管的漏极相连，所述第三NMOS晶体管的栅极连接正向输入电压(Vinp)；所述第四NMOS晶体管的源极与所述第五NMOS晶体管的漏极相连，所述第四NMOS晶体管的栅极连接反向输入电压(Vinn)；所述第五NMOS晶体管的源极接地，所述第五NMOS晶体管的栅极连接第三控制信号(CLKP)；所述第三控制信号(CLKP)的幅度起始值为0，稳态值为电源电压值VDD；其特征在于：所述第一PMOS晶体管的栅极连接第一控制信号(CLK1)，所述第二PMOS晶体管的栅极连接第二控制信号(CLK2)；所述失调校正方法包括以下步骤：调节前，控制所述第一控制信号(CLK1)和所述第二控制信号(CLK2)的幅度起始值均为0，稳态值均为电源电压值VDD；控制输入相等的所述正向输入电压(Vinp)和所述反向输入电压(Vinn)，则调节时：第一种情形：如果失调为所述正向输出电压(Voutp)小于所述反向输出电压(Voutn)，则保持所述第二控制信号(CLK2)的幅度不变，按照如下方式调节所述第一控制信号(CLK1)：11)设定调整电压(VB)的初值，所述初值大于0，小于VDD；12)更新记录当前校正次数，控制所述第一控制信号(CLK1)的幅度起始值为所述调整电压(VB)的值，稳态值为所述电源电压值VDD；13)判断当前校正次数的值是否等于设定值，如果否，则进入步骤14)；如果是，则结束调节过程；14)判断此时所述正向输出电压(Voutp)与所述反向输出电压(Voutn)的大小，如果所述正向输出电压(Voutp)仍然小于所述反向输出电压(Voutn)，则将所述调整电压(VB)调大，返回步骤12)；如果所述正向输出电压(Voutp)大于所述反向输出电压(Voutn)，则将所述调整电压(VB)调小，返回步骤12)；第二种情形：如果失调为所述正向输出电压(Voutp)大于所述反向输出电压(Voutn)，则保持所述第一控制信号(CLK1)的幅度不变，按照如下方式调节所述第二控制信号(CLK2)：21)设定调整电压(VB)的初值，所述初值大于0，小于VDD；22)更新记录当前校正次数，控制所述第二控制信号(CLK2)的幅度起始值为所述调整电压(VB)的值，稳态值为所述电源电压值VDD；23)判断此时校正次数的值是否等于设定值，如果否，则进入步骤24)；如果是，则结束调节过程；24)判断此时所述正向输出电压(Voutp)与所述反向输出电压(Voutn)的大小，如果所述正向输出电压(Voutp)仍然大于所述反向输出电压(Voutn)，则将所述调整电压(VB)调大，返回步骤22)；如果所述正向输出电压(Voutp)小于所述反向输出电压(Voutn)，则将所述调整电压(VB)调小；返回步骤22)。