| 发明名称 | 一种波导对接耦合型吸收倍增分离雪崩二极管 | ||
| 摘要 | 一种波导对接耦合型吸收倍增分离雪崩二极管涉及半导体光电器件领域以及光互联领域，能够对微弱通信光信号进行探测。包括有p<sup>+</sup>型欧姆接触电极(101)，p<sup>+</sup>欧姆接触层(102)，吸收层(103)，p型电荷区(104)，高场倍增区(105)，n<sup>+</sup>型欧姆接触电极(106)，n<sup>+</sup>欧姆接触区(107)，绝缘掩埋层(108)，衬底(109)，脊形波导(110)，其特征在于，p型电荷区(104)位于脊形波导(110)终端底部，吸收层(103)位于p型电荷区(104)顶部，与脊形波导(110)的终端内脊区域相对接；高场倍增区(105)以及n<sup>+</sup>欧姆接触区(107)紧挨p型电荷区(104)依次排布，与脊形波导(110)外脊厚度相同，且延伸方向垂直于脊形波导(110)光传输方向。从二极管对应的I-V曲线示意图中可以看出，器件实现了良好的倍增。 | ||
| 申请公布号 | CN104882509A | 申请公布日期 | 2015.09.02 |
| 申请号 | CN201510159552.1 | 申请日期 | 2015.04.05 |
| 申请人 | 北京工业大学 | 发明人 | 李冲;郭霞;刘巧莉;董建;刘白;马云飞 |
| 分类号 | H01L31/107(2006.01)I;H01L31/0232(2014.01)I;H01L31/0352(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/107(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人 | 刘萍 |
| 主权项 | 一种波导对接耦合型吸收倍增分离雪崩二极管，包括有p<sup>+</sup>型欧姆接触电极(101)，p<sup>+</sup>欧姆接触层(102)，吸收层(103)，p型电荷区(104)，高场倍增区(105)，n<sup>+</sup>型欧姆接触电极(106)，n<sup>+</sup>欧姆接触区(107)，绝缘掩埋层(108)，衬底(109)，脊形波导(110)，其特征在于，p型电荷区(104)位于脊形波导(110)终端底部，吸收层(103)位于p型电荷区(104)顶部，与脊形波导(110)的终端内脊区域相对接；高场倍增区(105)以及n<sup>+</sup>欧姆接触区(107)紧挨p型电荷区(104)依次排布，与脊形波导(110)外脊厚度相同，且延伸方向垂直于脊形波导(110)光传输方向。 | ||
| 地址 | 100124 北京市朝阳区平乐园100号 | ||