| 发明名称 | 用于制造纳米光刻掩模的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及用于由沉积在待蚀刻的表面(10)上的PS–b–PMMA嵌段共聚物的膜(20)制造纳米光刻掩模的方法，所述共聚物膜包括垂直于待蚀刻的表面取向的PMMA纳米畴(21)，所述方法的特征在于它包括以下步骤：照射(E1)部分的所述共聚物膜，以在所述共聚物膜中形成第一照射区和第二未照射区，然后在显影溶剂中处理(E2)所述共聚物膜，以选择性地除去所述共聚物膜的所述第一照射区的至少所述PMMA纳米畴。 | ||
| 申请公布号 | CN104885013A | 申请公布日期 | 2015.09.02 |
| 申请号 | CN201380067287.3 | 申请日期 | 2013.12.16 |
| 申请人 | 阿克马法国公司;原子能和代替能源委员会 | 发明人 | C.纳瓦罗;M.阿尔古德;X.谢瓦利埃;R.蒂罗恩;A.加尔比 |
| 分类号 | G03F7/32(2006.01)I;C08L53/00(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/32(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 金拟粲 |
| 主权项 | 用于由沉积在待蚀刻的表面(10)上的PS–b–PMMA嵌段共聚物膜(20)制造纳米光刻掩模的方法，所述共聚物膜包括垂直于待蚀刻的表面取向的PMMA纳米畴(21)，所述方法的特征在于它包括以下步骤：‑部分地照射(E1)所述共聚物膜，以在所述共聚物膜中形成第一照射区和第二未照射区，然后‑在显影溶剂中处理(E2)所述共聚物膜，以选择性地除去所述共聚物膜的所述第一照射区的至少所述PMMA纳米畴(21)。 | ||
| 地址 | 法国科隆布 | ||