用于改进晶片均匀性的装置和方法

摘要

本发明涉及用于改进晶片均匀性的装置和方法，具体而言，提供了一种半导体处理气流歧管，其使得歧管气流路径的气体流动特性能在半导体处理室的外部单独进行调节。气流歧管可连接到所述半导体处理室内部的处理气体分配装置。处理气体分配装置可具有多个气流通道，每个通道单独地连接到歧管气流路径，并瞄准半导体晶片上的区域。单个歧管气流路径的调节可改变通过每个处理气体分配气流通道分配到半导体晶片的相应区域的处理气体的量。

主权项

一种半导体处理工具的气流歧管，该气流歧管包括：半导体处理气流歧管主体；和多个歧管气流路径，其从所述歧管主体的第一侧延伸到所述歧管主体的第二侧，其中，所述歧管气流路径能从所述歧管主体的所述第一侧单独调节以改变通过所述歧管的气流特性。