一种FinFET器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种FinFET器件及其制造方法，所述方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成有多个鳍片，在鳍片之间形成有隔离结构；实施离子注入，以调节鳍片的阈值电压；在鳍片的未被所述隔离结构遮蔽的表面形成无定型硅层，以阻止后续实施的快速热退火所引发的所述离子注入的注入离子剂量的损失；实施快速热退火，使无定型硅层完全重晶态化。根据本发明，通过在鳍片的未被隔离结构遮蔽的表面形成无定型硅层来阻止所述快速热退火所引发的注入离子剂量的损失，在实施所述快速热退火之后，无定型硅层无需去除，鳍片的表面结构不会受到损伤。

主权项

一种FinFET器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有多个鳍片，在所述鳍片之间形成有隔离结构；实施离子注入，以调节所述鳍片的阈值电压；在所述鳍片的未被所述隔离结构遮蔽的表面形成无定型硅层，以阻止后续实施的快速热退火所引发的所述离子注入的注入离子剂量的损失；实施所述快速热退火，使所述无定型硅层完全重晶态化。