| 摘要 |
본 발명의 과제는, 저온 영역에 있어서, HF에 대한 내성이 높고, 유전율이 낮은 박막을 형성하는 것이다. 기판에 대해 소정 원소 및 할로겐기를 포함하는 제1 원료 가스를 공급하는 공정과, 기판에 대해 소정 원소 및 아미노기를 포함하는 제2 원료 가스를 공급하는 공정과, 기판에 대해 유기 보라진 화합물을 포함하는 반응 가스를 공급하는 공정과, 기판에 대해 탄소 함유 가스를 공급하는 공정을 포함하는 사이클을, 유기 보라진 화합물에 있어서의 보라진 환 골격이 유지되는 조건 하에서, 소정 횟수 행함으로써, 기판상에, 보라진 환 골격을 갖고, 소정 원소, 붕소, 탄소 및 질소를 포함하는 박막을 형성하는 공정을 갖는다. |
