| 发明名称 | 太阳能电池及其制造方法 | ||
| 摘要 | 太阳能电池及其制造方法。一种太阳能电池，形成为具有：第一导电类型的硅半导体基板；发射极层，所述发射极层具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型，并且形成在所述硅半导体基板的第一表面上；背表面场层，所述背表面场层具有所述第一导电类型，并且形成在所述硅半导体基板的与所述第一表面相反的第二表面上；并且其中，所述发射极层至少包括第一浅掺杂区域，所述背表面场层至少包括第二浅掺杂区域，并且其中，所述发射极层的第一浅掺杂区域的厚度不同于所述背表面场层的第二浅掺杂区域的厚度。 | ||
| 申请公布号 | CN102983209B | 申请公布日期 | 2015.09.02 |
| 申请号 | CN201210151051.5 | 申请日期 | 2012.05.15 |
| 申请人 | LG电子株式会社 | 发明人 | 秦胤实;朴铉定;崔荣浩;朴昶绪 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0288(2006.01)I;H01L31/0236(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 吕俊刚;杨薇 |
| 主权项 | 一种太阳能电池的制造方法，所述方法包括：制备第一导电类型的硅半导体基板；通过在所述硅半导体基板的第一表面上第一离子注入具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型的第一杂质来形成第一杂质掺杂区域；通过在所述硅半导体基板的与所述第一表面相反的第二表面上执行第二离子注入具有所述第一导电类型的第二杂质来形成第二杂质掺杂区域；以及执行热处理以对所述第一杂质掺杂区域和所述第二杂质掺杂区域同时进行热处理，以形成发射极层和背表面场层，其中，所述发射极层至少包括第一浅掺杂区域，所述背表面场层至少包括第二浅掺杂区域，并且其中，所述发射极层的第一浅掺杂区域的厚度不同于所述背表面场层的第二浅掺杂区域的厚度。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||