发明名称 SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATING METHOD THERE OF
摘要 <p>본 발명의 실시 예는 반도체 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 실시 예에 따른 반도체 소자는, 금속 산화막; 및 상기 금속 산화막의 일면과 접합하는 금속 전극;을 포함하고, 상기 금속 전극은, 상기 금속 산화막과 접합할 때 상기 금속 전극과 관련된 산화막을 형성하지 않거나 또는 상기 금속 산화막과 접합할 때 상기 금속 산화막의 산소를 빼앗지 않는 금속이다.</p>
申请公布号 KR101549030(B1) 申请公布日期 2015.09.02
申请号 KR20130020277 申请日期 2013.02.26
申请人 发明人
分类号 H01L29/78;H01L31/09;H01L51/50 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
主权项
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