| 发明名称 | 一种准减压外延生长方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种准减压外延生长方法，在常压反应系统中，以惰性气体氩气为载气和填充气，以三氯氢硅和氢气为反应气体，来达到减压外延条件下反应系统所处的平衡状态。本发明通过在常压硅外延生长系统中，以惰性气体氩气为载气和填充气体，来达到减压外延条件下反应系统所处的平衡状态，从而达到减压外延的效果。通过此方法，克服了传统减压外延所需要的复杂的减压设备问题。 | ||
| 申请公布号 | CN102618923B | 申请公布日期 | 2015.09.02 |
| 申请号 | CN201210105604.3 | 申请日期 | 2012.04.11 |
| 申请人 | 浙江金瑞泓科技股份有限公司 | 发明人 | 王震;田达晰;张世波;梁兴勃;陈华;李慎重 |
| 分类号 | C30B25/16(2006.01)I | 主分类号 | C30B25/16(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海泰能知识产权代理事务所 31233 | 代理人 | 宋缨;孙健 |
| 主权项 | 一种准减压外延生长方法，其特征在于，在常压反应系统中，以惰性气体氩气为载气和填充气，以三氯氢硅和氢气为反应气体，来达到减压外延条件下反应系统所处的平衡状态。 | ||
| 地址 | 315800 浙江省宁波市保税东区0125-3地块 | ||