| 发明名称 | 层叠的氧化物材料、半导体器件、以及用于制造该半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 一个实施例是用于制造层叠的氧化物材料的方法，包括步骤：在基底组件上形成氧化物组分；通过热处理形成从氧化物组分表面向内生长的第一氧化物结晶组分，并在基底组件表面正上方留有非晶组分；以及在该第一氧化物结晶组分上层叠第二氧化物结晶组分。特定地，第一氧化物结晶组分和第二氧化物结晶组分具有共同的c-轴。在共晶生长或异晶生长的情况下导致同轴（轴向）生长。 | ||
| 申请公布号 | CN102668028B | 申请公布日期 | 2015.09.02 |
| 申请号 | CN201080052958.5 | 申请日期 | 2010.11.02 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 山崎舜平 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/36(2006.01)I;H01L21/363(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 张欣 |
| 主权项 | 一种用于制造层叠的氧化物半导体材料的方法，包括以下步骤：在基底组件上形成第一氧化物半导体组分；通过热处理形成从所述第一氧化物半导体组分上表面向内生长的第一氧化物结晶组分，并在所述基底组件表面正上方留有非晶组分；在所述第一氧化物结晶组分上形成第二氧化物半导体组分；且形成从所述第一氧化物结晶组分上表面向所述第二氧化物半导体组分内侧生长的第二氧化物结晶组分。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||