一种粗化LED芯片的外延结构及其制备方法

摘要

本发明涉及一种粗化LED芯片的外延结构及其制备方法。本发明首先在n-GaAs衬底上依次生长n-GaAs缓冲层、DBR、下限制层、有源区、上限制层、隧穿结、粗化层和帽子层。芯片制备先在帽子层上蒸镀电极，光刻电极图形，同时去掉多余的帽子层，本方法不利用掩膜，直接用湿法方法对粗化层进行粗化，然后减薄、蒸镀背金，然后依次经过合金、测试、切割，制备出表面粗化的高光提取效率的LED芯片。克服了传统LED外延片窗口层为GaP难刻蚀的方法，用粗化层代替GaP窗口层，具有粗化层极易粗化、粗化均匀、稳定性较好的优点，非常适合规模化生产。利用本发明方法制作的粗化LED芯片可提高约40％的出光效率。

主权项

一种粗化LED芯片的外延结构，其特征在于，自下而上依次包括n‑GaAs衬底、n‑GaAs缓冲层、DBR、下限制层、有源区、上限制层、隧穿结、粗化层和帽子层。