| 发明名称 | 半导体器件的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体器件的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极结构；在所述栅极结构两侧的半导体衬底内形成第一凹槽；在所述第一凹槽的侧壁形成保护层；对所述第一凹槽底部的半导体衬底进行刻蚀，形成第二凹槽；刻蚀所述第二凹槽，形成第三凹槽，所述第三凹槽具有圆弧形的轮廓；刻蚀所述第三凹槽，以在所述第三凹槽底部区域形成平底沟槽，形成第四凹槽；对所述第四凹槽进行刻蚀，形成∑状凹槽，所述∑状凹槽包含与栅极结构距离最小的顶点；在所述∑状凹槽中形成嵌入式锗硅层。本发明半导体器件的形成方法提高了半导体器件中载流子的迁移率，改善了半导体器件的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN103377938B | 申请公布日期 | 2015.09.02 |
| 申请号 | CN201210122594.4 | 申请日期 | 2012.04.24 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 隋运奇 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极结构；在所述栅极结构两侧的半导体衬底内形成第一凹槽；在所述第一凹槽的侧壁形成保护层；对所述第一凹槽底部的半导体衬底进行刻蚀，形成第二凹槽；刻蚀所述第二凹槽，形成第三凹槽，所述第三凹槽具有圆弧形的轮廓；刻蚀所述第三凹槽，以在所述第三凹槽底部区域形成平底沟槽，形成第四凹槽；对所述第四凹槽进行刻蚀，形成∑状凹槽，所述∑状凹槽包含与栅极结构距离最小的顶点；在所述∑状凹槽中形成嵌入式锗硅层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||