发明名称 高密度电路薄膜
摘要 本实用新型公开了一种高密度电路薄膜,包含下层电路重新布线层和上层电路重新布线层,下层电路重新布线层具有下层电路与下层绝缘层,下层电路具有复数个第一下层金属垫和复数个第一上层金属垫,第一下层金属垫的密度高于第一上层金属垫的密度;上层电路重新布线层设置于下层电路重新布线层的上方,具有上层电路与上层绝缘层,上层电路具有复数个第二下层金属垫与第二上层金属垫,第二下层金属垫电性耦合于第一上层金属垫,第二下层金属垫的密度高于第二上层金属垫的密度。本实用新型适用于晶片封装用。
申请公布号 CN204614786U 申请公布日期 2015.09.02
申请号 CN201520289542.5 申请日期 2015.05.07
申请人 胡迪群 发明人 胡迪群
分类号 H01L27/01(2006.01)I 主分类号 H01L27/01(2006.01)I
代理机构 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人 潘诗孟
主权项 一种高密度电路薄膜,其特征是,包含下层电路重新布线层和上层电路重新布线层,其中:下层电路重新布线层具有下层电路与下层绝缘层,下层电路具有复数个第一下层金属垫和复数个第一上层金属垫,第一下层金属垫的密度高于第一上层金属垫的密度;上层电路重新布线层设置于下层电路重新布线层的上方,具有上层电路与上层绝缘层,上层电路具有复数个第二下层金属垫与第二上层金属垫,第二下层金属垫电性耦合于第一上层金属垫,第二下层金属垫的密度高于第二上层金属垫的密度。
地址 中国台湾新竹县竹东镇学府东路354号