发明名称 | 高密度电路薄膜 | ||
摘要 | 本实用新型公开了一种高密度电路薄膜,包含下层电路重新布线层和上层电路重新布线层,下层电路重新布线层具有下层电路与下层绝缘层,下层电路具有复数个第一下层金属垫和复数个第一上层金属垫,第一下层金属垫的密度高于第一上层金属垫的密度;上层电路重新布线层设置于下层电路重新布线层的上方,具有上层电路与上层绝缘层,上层电路具有复数个第二下层金属垫与第二上层金属垫,第二下层金属垫电性耦合于第一上层金属垫,第二下层金属垫的密度高于第二上层金属垫的密度。本实用新型适用于晶片封装用。 | ||
申请公布号 | CN204614786U | 申请公布日期 | 2015.09.02 |
申请号 | CN201520289542.5 | 申请日期 | 2015.05.07 |
申请人 | 胡迪群 | 发明人 | 胡迪群 |
分类号 | H01L27/01(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/01(2006.01)I |
代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 潘诗孟 |
主权项 | 一种高密度电路薄膜,其特征是,包含下层电路重新布线层和上层电路重新布线层,其中:下层电路重新布线层具有下层电路与下层绝缘层,下层电路具有复数个第一下层金属垫和复数个第一上层金属垫,第一下层金属垫的密度高于第一上层金属垫的密度;上层电路重新布线层设置于下层电路重新布线层的上方,具有上层电路与上层绝缘层,上层电路具有复数个第二下层金属垫与第二上层金属垫,第二下层金属垫电性耦合于第一上层金属垫,第二下层金属垫的密度高于第二上层金属垫的密度。 | ||
地址 | 中国台湾新竹县竹东镇学府东路354号 |