用于从硅晶片吸除杂质的氧化物介质

摘要

本发明涉及制备可印刷的低至高粘度氧化物介质的新方法，以及该氧化物介质在制造太阳能电池中的用途。

主权项

制备对在硅晶片上具有吸除效应的耐处理和耐磨损层的方法，其特征在于将以氧化物介质形式的吸除介质印刷在硅晶片的表面上，和将经印刷的介质通过依次进行的一个或多个热处理步骤(通过阶梯函数的热处理)和/或坡度在50℃至800℃，优选50℃至500℃的温度范围内的热处理来干燥并且致密化以便玻璃化，并且随后将温度任选在升高之后保持在500至800℃，优选600至750℃的范围内数秒至一分钟，由此形成具有最高至500nm厚度的耐处理和耐磨损的层，其中所述吸除介质已经通过包含单个饱和或不饱和、支链或非支链的脂肪族、脂环族或芳香族基团或包含不同的这些基团的对称和/或不对称的二‑至四取代的烷氧基硅烷和烷氧基烷基硅烷与a)对称和不对称的有机的和混合有机‑无机的羧酸酐或与b)强羧酸,c)与变量a)和b)的组合的缩合和受控凝胶化制备和通过受控凝胶化制备得到低至高粘度的氧化物介质。