| 发明名称 | 半导体装置以及半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 在半导体装置(100)交替地形成接合部(75)～接合部(72)及环接部(85)～环接部(82)，所述接合部(75)～接合部(72)使导线(12)的侧面接合于衬垫(65)～衬垫(62)，所述环接部(85)～环接部(82)自接合部(75)～接合部(72)环接至与衬垫(65)～衬垫(62)邻接的其他衬垫(64)～衬垫(61)上为止。而且，在衬垫(65)～衬垫(61)自半导体芯片(55)～半导体芯片(51)的表面凹陷的情况下，将共用的导线(12)压扁至比衬垫(65)～衬垫(61)的凹陷深度厚的厚度而形成扁平形状。由此，在半导体装置中，减少对半导体芯片造成的损伤且以少的结合次数进行导线的连接，并且对自半导体芯片的表面凹陷的电极有效率地进行结合。 | ||
| 申请公布号 | CN104885208A | 申请公布日期 | 2015.09.02 |
| 申请号 | CN201480003314.5 | 申请日期 | 2014.01.24 |
| 申请人 | 株式会社新川 | 发明人 | 熊本信二;关根直希;中泽基树;长岛康雄 |
| 分类号 | H01L21/60(2006.01)I;H01L25/065(2006.01)I;H01L25/07(2006.01)I;H01L25/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/60(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人 | 杨文娟;臧建明 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其特征在于：交替地形成有接合部以及环接部，所述接合部是使侧面接合于电极，所述环接部则是自所述接合部环接至其他电极上为止，且所述半导体装置包括将3个以上的电极依次连接的共用的导线。 | ||
| 地址 | 日本东京武藏村山市伊奈平二丁目51番地之1 | ||