一种具有集成电容的射频横向双扩散功率器件的制造方法

摘要

本发明提供一种具有集成电容的射频横向双扩散功率器件的制造方法，包括：在P型衬底上形成P型外延层，并在所述P型外延层上形成P型下沉区和场氧化层；在所述P型外延层上形成栅氧化层和多晶硅层，并在所述P型外延层上形成P型阱区；在所述栅氧化层、多晶硅层及场氧化层上形成氮化硅层和正硅酸乙酯层；刻蚀掉所述氮化硅层和正硅酸乙酯层，形成电容区；在所述电容区P型衬底上方形成介电层；在所述P型外延层上分别形成N型漂移区、N型源极、N型漏极和P型重掺杂离子区；以及定义场板、孔层、金属层和保护层。本发明的方法能够同时制作出射频横向双扩散功率器件和电容器件，且将两者集成在一个芯片上，缩短了制作周期，加大了集成度。

主权项

一种具有集成电容的射频横向双扩散功率器件的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：在P型衬底上形成P型外延层，并在所述P型外延层上形成P型下沉区；在具有所述P型下沉区的P型外延层上形成场氧化层；在形成所述场氧化层以外的所述P型外延层上依次形成栅氧化层和多晶硅层，并在所述P型外延层上形成P型阱区；在所述栅氧化层、多晶硅层及场氧化层上依次形成氮化硅层和正硅酸乙酯层；在所述正硅酸乙酯层上形成光阻层，经曝光显影在所述光阻层上形成窗口，并刻蚀掉所述窗口下方的所述氮化硅层和正硅酸乙酯层，形成电容区；去除所述光阻层，并刻蚀掉所述窗口下方的栅氧化层及P型外延层；去除所述正硅酸乙酯层，在所述电容区P型衬底上方形成介电层，并去除所述氮化硅层；在所述P型外延层上分别形成N型漂移区、N型源极、N型漏极和P型重掺杂离子区；以及定义场板、孔层、金属层和保护层。