一种弱光型非晶硅太阳能电池及其制造方法

摘要

本发明涉及一种弱光型非晶硅太阳能电池及其制造方法，属于太阳能电池技术领域。解决p型窗口层与缓冲层之间界面缺陷等技术问题，弱光型非晶硅太阳能电池，包括在衬底上顺序层叠的前电极层、PIN层、背电极层，其特征在于所述非晶硅太阳能电池的P层和I层之间设有过渡层和缓冲层。本发明还开发一种柔光型太阳能电池的制造方法，在P层和I层之间增设过渡层，过渡层的碳硅合金比例可以通过沉积工艺调节，以扩宽表观带隙，而且过渡层是一种质量更好的接近微晶或者微晶结构的薄膜，从而使得生长在它上面的缓冲层具有更好的薄膜质量，减少了P型窗口层与缓冲层界面处的光生载流子的复合在界面间获得更高的表观带隙，使得内建电场更强，光生载流子增加，减少了界面的复合，开路电压可提高3-6%，积极效果显著。

主权项

一种弱光型非晶硅太阳能电池，包括在衬底上顺序层叠的前电极层、PIN层、背电极层，其特征在于所述非晶硅太阳能电池的P层和I层之间设有过渡层和缓冲层，所述过渡层厚度为20～40nm，调节P层与缓冲层之间的过渡层的碳硅比，该过渡层的碳硅比大于P层碳硅比的1/2，且小于P层的碳硅比的1.3倍，但不等于P层的碳硅比，消除P层与缓冲层之间的界面缺陷。