| 发明名称 | SiC单晶的制造方法 | ||
| 摘要 | 抑制每个制造批次的晶种的溶液接触位置的偏差，得到重复性好的高质量的SiC单晶。SiC单晶的制造方法，其是使由支持棒支持的SiC晶种与高频加热的溶液接触从而使SiC单晶生长的SiC单晶的制造方法，其中，在施加于所述溶液的磁场的存在下，使所述支持棒下降，使SiC晶种与所述溶液接触，随后停止所述磁场的施加而使SiC单晶生长。 | ||
| 申请公布号 | CN104884683A | 申请公布日期 | 2015.09.02 |
| 申请号 | CN201380068222.0 | 申请日期 | 2013.11.11 |
| 申请人 | 丰田自动车株式会社 | 发明人 | 大黑宽典;坂元秀光;加渡干尚;楠一彦 |
| 分类号 | C30B29/36(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/36(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 李英 |
| 主权项 | SiC单晶的制造方法，其是使由支持棒支持的SiC晶种与高频加热的溶液接触从而使SiC单晶生长的SiC单晶的制造方法，其中，在施加于所述溶液的磁场的存在下，使所述支持棒下降，使SiC晶种与所述溶液接触，随后停止所述磁场的施加而使SiC单晶生长。 | ||
| 地址 | 日本爱知县 | ||