发明名称 像素驱动电路
摘要 本发明公开了一种像素驱动电路,包括六个PMOS管和存储电容,第一PMOS管的源极、第三PMOS管的源极和第六PMOS管的漏极连接在一起,并通过发光器件与电源线相连;第一PMOS管的栅极与存储电容的一端相连,存储电容的另一端与第五PMOS管的漏极相连,第五PMOS管的源极接数据线,第五PMOS管和第四PMOS管的栅极接第一控制扫描线。本发明的驱动电路借助六个PMOS管和存储电容的存储作用,可以同时对阈值电压漂移和发光器件两段电压的上升进行补偿。
申请公布号 CN104882095A 申请公布日期 2015.09.02
申请号 CN201510284190.9 申请日期 2015.05.28
申请人 四川虹视显示技术有限公司 发明人 田朝勇
分类号 G09G3/32(2006.01)I;H01L27/32(2006.01)I 主分类号 G09G3/32(2006.01)I
代理机构 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 代理人 王伟
主权项 一种像素驱动电路,其特征在于,包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、存储电容和发光器件,其中,第一PMOS管的源极、第三PMOS管的源极和第六PMOS管的漏极连接在一起,并通过发光器件与电源线相连;第一PMOS管的栅极与存储电容的一端相连,存储电容的另一端与第五PMOS管的漏极相连,第五PMOS管的源极接数据线,第五PMOS管的栅极接第一控制扫描线;第四PMOS管的漏极与第一PMOS管的栅极相连,第四PMOS管的源极与第一PMOS管的漏极、第二PMOS管的源极相连,第四PMOS管的栅极接第一控制扫描线;第二PMOS管的栅极接第二控制扫描线,第二PMOS管的漏极接负电源;第三PMOS管的栅极接第二控制扫描线,第三PMOS管的漏极与第五PMOS管的漏极相连;第六PMOS管的源极接电源线,第六PMOS管的栅极接外部的控制信号;所述的发光器件具体为有机发光二极管;所述的PMOS管为多晶硅薄膜PMOS管。
地址 611731 四川省成都市高新区(西区)科新西街168号