| 发明名称 | 一种沟道势垒高度控制的隧穿场效应器件 | ||
| 摘要 | 本发明属于半导体集成电路领域，具体涉及一种沟道势垒高度控制的隧穿场效应器件。其中心为沟道，沟道两端为导电类型不同的源端和漏端，源端与沟道之间形成隧穿结，所述沟道采用三段或三段以上的势垒区组成，其中中间段的势垒区的能带高于沟道中靠近漏端和源端的能带；还有栅氧层全覆盖沟道，栅氧层又被栅电极全覆盖。该器件的沟道部分采用不同掺杂浓度或类型的材料，在沟道中形成三段或更多段的势垒结构。本发明的仿真研究结果表明，该结构的沟道势垒高度控制的隧穿器件结构能够有效减小器件关态泄露电流，降低亚阈值斜率，抑制短沟道效应和漏致势垒降低效应，同时保持良好的跨导特性，从而实现器件的性能综合优化。 | ||
| 申请公布号 | CN104882484A | 申请公布日期 | 2015.09.02 |
| 申请号 | CN201510257549.3 | 申请日期 | 2015.05.19 |
| 申请人 | 武汉大学 | 发明人 | 王豪;常胜;何进;黄启俊 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人 | 汪俊锋 |
| 主权项 | <b> </b> 一种沟道势垒高度控制的隧穿场效应器件，其特征在于，其中心为沟道，沟道两端为导电类型不同的源端和漏端，源端与沟道之间形成隧穿结，所述沟道采用三段或三段以上的势垒区组成，其中中间段的势垒区的能带高于沟道中靠近漏端和源端的能带；还有栅氧层全覆盖沟道，栅氧层又被栅电极全覆盖。 | ||
| 地址 | 430072 湖北省武汉市武昌区珞珈山武汉大学 | ||