发明名称 一种星上程控RC重启电路
摘要 本发明提供了一种星上程控RC重启电路,根据核心控制芯片MCU发出的指令信号,利用NPN三极管饱和放大特性控制MOS管的通断,间接控制RC充放电电路,通过RC中电容的两端的电平变化,控制供电MOS管的通断,从而实现自身系统的断电重启。本发明有效的实现了RC电路的充放电控制,防止RC放电电路中的电荷经MCU管脚倒灌,击坏MCU器件。
申请公布号 CN104883165A 申请公布日期 2015.09.02
申请号 CN201510287735.1 申请日期 2015.05.29
申请人 西北工业大学 发明人 李立欣;袁建平;侯建文;岳晓奎;罗建军;袁健华;万桂斌;冯浩;申礼斌;周德云;张会生
分类号 H03K17/22(2006.01)I 主分类号 H03K17/22(2006.01)I
代理机构 西北工业大学专利中心 61204 代理人 顾潮琪
主权项 一种星上程控RC重启电路,其特征在于:极性钽电容C1和可变电容C2的负极接地,C1的正极通过电阻R8连通肖特基二极管D1的负极,肖特基二极管D1的正极连接电源,同时C1、C2的正极连接放电电阻R7一端、分压电阻R9一端以及VMOS管Q5的栅极,分压电阻R9的另一端接VMOS管Q5的源极并接地,VMOS管Q5的漏极接功率MOS管Q3的栅极和电阻R5,电阻R5和MOS管Q3的源极接电路的VCC,MOS管Q3的漏极接电池正极;MCU控制输入端通过下拉电阻R6接地,同时通过电阻R4接NPN三极管Q2、Q4的基极,Q4的射极接地,Q4的集电极接电阻R3一端、R2一端和MOS管Q1的栅极,电阻R2的另一端接MOS管Q1的源极和电源VCC,MOS管Q1的漏极接通过电阻R1接NPN三极管Q2的集电极和放电电阻R7的另一端,NPN三极管Q2的发射极接入R3的另一端。
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