光电半导体装置

摘要

本发明公开了一种半导体光电元件，包含：基板；半导体系统，包含有源层形成于基板之上；及电极结构，形成于半导体系统之上，此电极结构包含：第一电性接触区或第一电性打线垫，第二电性打线垫，第一电性延伸线路，及第二电性延伸线路，其中第一电性延伸线路与第二电性延伸线路以立体跨接方式交错，且部分第一电性延伸线路与第一电性接触区或第一型打线垫位于有源层的相异两侧。

主权项

一种半导体光电元件，包含：第一电性层；第二电性层；有源层，位于第一电性层与第二电性层之间；第一打线垫，电性连接至该第一电性层；第二打线垫，电性连接至该第二电性层；第一延伸线路，连接至该第一打线垫；第二延伸线路，连接至该第二打线垫，并与该第一延伸线路以立体跨接方式交错于该第一电性层及该第二电性层上方；及绝缘层，位于该第一延伸线路与该第二延伸线路交错之处。