具有阈值电压设置凹槽的晶体管及其制造方法

摘要

结构和制造其的方法涉及深耗尽沟道（DDC）设计，允许基于CMOS的器件具有比传统体CMOS减小的σV_T，并可以允许精确得多地设置沟道区中具有掺杂剂的FET的阈值电压V_T。表示独特的凹槽的创新掺杂剂剖面实现了在精确范围内的V_T设定的调整。通过适当选择金属可以扩展这个V_T设置范围，以便在管芯上适应极宽范围的V_T设置。DDC设计相比于传统体CMOS晶体管还可以具有强体效应，这可以允许DDC晶体管中有意义的功耗的动态控制。结果是能够独立控制V_T（以低σV_T）和VDD，以使得可以独立于给定器件的V_T来调节体偏置。

主权项

一种用于制造包含多个器件类型的集成电路管芯的方法，包括：在衬底中形成多个掺杂阱；对所述多个掺杂阱中的至少一些进行二次掺杂，以形成高掺杂的屏蔽层；在所述衬底上外延生长均厚层；对至少一些部分的外延生长的所述均厚层进行掺杂，以在所述均厚层中形成具有第一厚度的阈值电压设置层；在所述均厚层的剩余部分中形成具有第二厚度的未掺杂沟道层；使用浅沟槽隔离来将所述多个掺杂阱中的至少一些彼此隔离；以及在所述均厚层的所述未掺杂沟道层上形成多个栅极堆叠体，至少一些栅极堆叠体具有第一成分并可操作以具有在所述栅极堆叠体与所述高掺杂屏蔽层之间延伸的耗尽区，其它栅极堆叠体具有第二成分，以允许多个器件类型。