发明名称 一种电子束区域熔炼多晶硅设备及排除杂质的方法
摘要 本发明公开了一种电子束区域熔炼多晶硅设备,包括熔炼炉和设置在所述熔炼炉内的区域熔炼坩埚,所述熔炼炉的侧壁上部设有观察窗,所述熔炼炉的底端设有冷却水进水口和冷却水出水口,其特征在于:在所述区域熔炼坩埚的右侧上方设有电子枪,所述电子枪的电子束从所述区域熔炼坩埚的左侧向右侧区域移动,且对铺设在所述区域熔炼坩埚上的硅块加热。本发明还公开了应用该设备排除杂质的方法。本发明实现了硅块的连续化熔炼和凝固,通过控制电子束的移动速度,使电子束照射区域熔炼蒸发出蒸汽压大的元素,同时在照射区的左侧由于电子束的移动形成温度逐步变化,使左侧的硅液实现定向凝固,缩短了单炉生产时间,设备简单方法易行,节省了能耗。
申请公布号 CN104878448A 申请公布日期 2015.09.02
申请号 CN201510252743.2 申请日期 2015.05.15
申请人 大连理工大学 发明人 王鹏;秦世强;石爽;谭毅;姜大川
分类号 C30B28/08(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I 主分类号 C30B28/08(2006.01)I
代理机构 大连东方专利代理有限责任公司 21212 代理人 李馨
主权项 一种电子束区域熔炼多晶硅设备,包括熔炼炉和设置在所述熔炼炉内的区域熔炼坩埚,所述熔炼炉的侧壁上部设有观察窗,所述熔炼炉的底端设有冷却水进水口和冷却水出水口,其特征在于:在所述区域熔炼坩埚的右侧上方设有电子枪,所述电子枪的电子束从所述区域熔炼坩埚的左侧向右侧区域移动,且对铺设在所述区域熔炼坩埚上的硅块加热。
地址 116024 辽宁省大连市高新园区凌工路2号