| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种能够提高耐热性和机械强度的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具备：半导体元件；具有含铜的布线层的安装基板；以及接合层，设置在上述半导体元件与上述布线层之间，含有铜和铜以外的金属的合金，上述合金的熔点比上述金属的熔点高。 | ||
| 申请公布号 | CN104882433A | 申请公布日期 | 2015.09.02 |
| 申请号 | CN201410341174.4 | 申请日期 | 2014.07.17 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 佐佐木遥;山本敦史;久里裕二;松村仁嗣 |
| 分类号 | H01L23/532(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/532(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 徐殿军 |
| 主权项 | 一种半导体装置，具备：半导体元件；安装基板，具有含铜的布线层；以及接合层，设置在上述半导体元件与上述布线层之间，含有由铜和铜以外的金属形成的合金，上述合金的熔点比上述金属的熔点高。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||