发明名称 半导体发光装置的制造方法
摘要 半导体发光装置的制造方法具备在含有半导体层、第一电极、第二电极、第一绝缘层的层叠体的第一绝缘层的第一开口部,形成第一布线层的工序,第一绝缘层具有与第二电极相连的第二开口部;在第一绝缘层的第二开口部形成第二布线层的工序;在与第一布线层上的第一电极相对的相反侧的面上,形成第一金属柱的工序;在与第二布线层的第二电极相对的相反侧的面上,形成第二金属柱的工序;在第一金属柱的侧面和第二金属柱的侧面之间形成第二绝缘层的工序;基于从第一主面侧得到的光的发光光谱,在选自多个半导体层的半导体层的第一主面上形成对于光呈透明的透明材料的工序;在透明材料上及多个半导体层的第一主面上,形成荧光体层的工序。
申请公布号 CN102270710B 申请公布日期 2015.09.02
申请号 CN201110192487.4 申请日期 2011.06.07
申请人 株式会社东芝 发明人 秋元阳介;小岛章弘;猪塚幸;杉崎吉昭;小泉洋;中具道;冈田康秀
分类号 H01L33/00(2010.01)I 主分类号 H01L33/00(2010.01)I
代理机构 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人 徐殿军
主权项 一种半导体发光装置的制造方法,其特征在于,具备:在层叠体的第一绝缘层的第一开口部形成第一布线层的工序,所述层叠体包含:基板;半导体层,含有第一主面和形成于其相反侧的第二主面和发光层,且通过分离槽在所述基板上被分离成多个;第一电极,设于与所述基板相对的相反侧的所述第二主面上的具有所述发光层的区域;第二电极,设于所述第二主面上;以及所述第一绝缘层,设于所述半导体层的所述第二主面侧以及上述分离槽的内部,具有与所述第一电极相连的所述第一开口部和与所述第二电极相连的第二开口部;在所述第一绝缘层的所述第二开口部形成第二布线层的工序;在所述第一布线层的与所述第一电极相对的相反侧的面上形成第一金属柱的工序;在所述第二布线层的与所述第二电极相对的相反侧的面上形成第二金属柱的工序;在所述第一金属柱的侧面和所述第二金属柱的侧面之间,形成第二绝缘层的工序;基于从所述第一主面侧得到的光的发光光谱,在从所述多个半导体层中选出的半导体层的所述第一主面上,形成对于所述光呈透明的透明材料的工序;以及在所述透明材料上及所述多个半导体层的所述第一主面上,形成荧光体层的工序;越是所述荧光体层相对地变薄的部分,就越厚地形成所述透明材料。
地址 日本东京都