发明名称 |
发光二极管及其制造方法 |
摘要 |
本发明的示例性实施例提供一种发光二极管及其制造方法。发光二极管包含:衬底;第一发光单元和第二发光单元,安置在衬底上并且彼此分隔开;以及互连件,互连件将第一发光单元电连接到第二发光单元,其中第一发光单元和第二发光单元中的每一者包含第一导电型半导体层,安置在第一导电型半导体层上的第二导电型半导体层,以及安置在第一导电型半导体层与第二导电型半导体层之间的活性层;第一发光单元和第二发光单元中的至少一者包含相对于衬底倾斜的第一侧表面;并且第一侧表面安置成平行于衬底的一个边缘,并且包含与衬底限定锐角的第一倾斜部分,与衬底限定钝角的第二倾斜部分,和安置在第一倾斜部分与第二倾斜部分之间的倾斜不连续区段。 |
申请公布号 |
CN104882461A |
申请公布日期 |
2015.09.02 |
申请号 |
CN201510088774.9 |
申请日期 |
2015.02.26 |
申请人 |
首尔伟傲世有限公司 |
发明人 |
吴世熙;李剡劤;尹馀镇;李贤行;金每恞 |
分类号 |
H01L27/15(2006.01)I;H01L33/00(2010.01)I |
主分类号 |
H01L27/15(2006.01)I |
代理机构 |
北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 |
代理人 |
张洋;臧建明 |
主权项 |
一种发光二极管,包括:衬底;第一发光单元和第二发光单元,所述第一发光单元和所述第二发光单元安置在所述衬底上并且彼此分隔开;以及互连件,所述互连件将所述第一发光单元电连接到所述第二发光单元,其中所述第一发光单元和所述第二发光单元中的每一者包含第一导电型半导体层,安置在所述第一导电型半导体层上的第二导电型半导体层,以及安置在所述第一导电型半导体层与所述第二导电型半导体层之间的活性层,其中所述第一发光单元和所述第二发光单元中的至少一者包含相对于所述衬底倾斜的第一侧表面,并且其中所述第一侧表面安置成平行于所述衬底的一个边缘,并且包含与所述衬底限定锐角的第一倾斜部分、与所述衬底限定钝角的第二倾斜部分,和安置在所述第一倾斜部分与所述第二倾斜部分之间的倾斜不连续区段。 |
地址 |
韩国京畿道安山市檀园区山檀路163便道65-161街区36号 |