| 发明名称 | 用于硅晶片的局部掺杂的掺杂介质 | ||
| 摘要 | 本发明涉及制备可印刷、高粘度氧化物介质的新方法，并涉及其在制造太阳能电池中的用途。 | ||
| 申请公布号 | CN104884685A | 申请公布日期 | 2015.09.02 |
| 申请号 | CN201380067938.9 | 申请日期 | 2013.12.18 |
| 申请人 | 默克专利股份有限公司 | 发明人 | I·克勒;O·多尔;S·巴尔特 |
| 分类号 | C30B31/04(2006.01)I;C23C18/12(2006.01)I;C23C18/32(2006.01)I;H01L21/22(2006.01)I;H01L21/225(2006.01)I;H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L31/028(2006.01)I;C09D183/00(2006.01)I | 主分类号 | C30B31/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 陈晰 |
| 主权项 | 制备以掺杂介质形式的可印刷、高粘度(粘度＞500mPas)氧化物介质的方法，其特征在于，使烷氧基硅烷和/或烷氧基烷基硅烷与a)对称和不对称的羧酸酐i.在含硼化合物的存在下和/或ii.在含磷化合物的存在下或b)与强羧酸i.在含硼化合物的存在下和/或ii.在含磷化合物的存在下或c)与变量a)和b)的组合i.在含硼化合物的存在下和/或ii.在含磷化合物的存在下缩合进行基于无水溶胶‑凝胶的合成，并通过受控凝胶化来制备糊状的高粘度掺杂介质(掺杂糊剂)。 | ||
| 地址 | 德国达姆施塔特 | ||