发明名称 具有包括负电荷材料的深沟槽的图像传感器及其制造方法
摘要 提供了图像传感器和制造图像传感器的方法,图像传感器包括:限定多个像素区域的基底,基底具有第一表面和背对第一表面的第二表面。基底的第二表面被构造为接收入射在其上的光,并且基底限定从基底的第二表面朝向基底的第一表面延伸并且使多个像素区域彼此分开的深沟槽。在基底的多个像素区域中的每个像素区域中,设置了光电转换区域。栅电极设置在光电转换区域上,还设置了覆盖深沟槽的侧壁的至少一部分和基底的第二表面的负的固定电荷层。图像传感器还包括位于基底的第一表面上的浅器件隔离层。浅器件隔离层限定每个像素区域中的有源区域,负的固定电荷层接触浅器件隔离层。
申请公布号 CN104882460A 申请公布日期 2015.09.02
申请号 CN201510090044.2 申请日期 2015.02.27
申请人 三星电子株式会社 发明人 井原久典
分类号 H01L27/146(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I 主分类号 H01L27/146(2006.01)I
代理机构 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人 尹淑梅;薛义丹
主权项 一种图像传感器,所述图像传感器包括:基底,限定多个像素区域,基底具有第一表面和背对第一表面的第二表面,其中,基底的第二表面被构造为接收入射在其上的光,其中,基底限定从基底的第二表面朝向基底的第一表面延伸并且使所述多个像素区域彼此分开的深沟槽;光电转换区域,位于基底的所述多个像素区域中的每个像素区域中;栅电极,位于光电转换区域上;负的固定电荷层,覆盖深沟槽的侧壁的至少一部分和基底的第二表面;以及浅器件隔离层,位于基底的第一表面上,其中,浅器件隔离层限定每个像素区域中的有源区域,其中,负的固定电荷层接触浅器件隔离层。
地址 韩国京畿道水原市