| 摘要 |
본 발명은 저유전율, 고에칭 내성, 고누설 내성의 특성을 구비하는 박막을 형성할 수 있는 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체를 제공한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 장치의 제조 방법은 기판에 대하여 소정 원소와 할로겐 원소를 포함하는 제1 처리 가스를 공급하는 공정과, 기판에 대하여 탄소 및 질소를 포함하는 제2 처리 가스를 공급하는 공정과, 기판에 대하여 탄소를 포함하는 제3 처리 가스를 공급하는 공정과, 기판에 대하여 제1 내지 제3 처리 가스와는 다른 제4 처리 가스를 공급하는 공정을 포함하는 사이클을 소정 횟수 행함으로써, 소정 원소 및 탄소를 포함하는 막을 기판 상에 형성하는 공정을 포함한다. |
