| 发明名称 |
在鳍式场效电晶体（ＦｉｎＦＥＴ）制程中之多闸极变容器及互补变容器 |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
TWI499056 |
申请公布日期 |
2015.09.01 |
| 申请号 |
TW102134318 |
申请日期 |
2013.09.24 |
| 申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
林纪贤;吕盈达;廖显原;陈和祥;周淳朴;薛福隆 |
| 分类号 |
H01L29/78;H01L21/28 |
主分类号 |
H01L29/78 |
| 代理机构 |
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代理人 |
蔡坤财 台北市中山区松江路148号11楼;李世章 台北市中山区松江路148号11楼 |
| 主权项 |
一种变容器，包含：至少一个半导体鳍部；一第一闸极；以及一第二闸极，该第二闸极与该第一闸极实体地断开，其中该第一闸极及该第二闸极分别与该至少一个半导体鳍部形成一第一FinFET及一第二FinFET，且其中该第一FinFET及该第二FinFET包含同一个半导体鳍部，且该第一FinFET及该第二FinFET之源极及汲极区域经互连以形成该变容器。
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| 地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |
