| 发明名称 | 矽晶太阳电池之背面电极制造方法 | ||
| 摘要 | |||
| 申请公布号 | TWI499073 | 申请公布日期 | 2015.09.01 |
| 申请号 | TW102145456 | 申请日期 | 2008.10.22 |
| 申请人 | 财团法人工业技术研究院 | 发明人 | 杜政勋;许世朋 |
| 分类号 | H01L31/18;H01L31/04 | 主分类号 | H01L31/18 |
| 代理机构 | 代理人 | 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1 | |
| 主权项 | 一种矽晶太阳电池之背面电极制造方法，包括：在一矽基板的背面上沉积一钝化层；在该钝化层上涂布一第一金属胶料；在该矽基板的背面上涂布一第二金属胶料，该第二金属胶料覆盖该第一金属胶料；以及进行一烧结步骤，其中该烧结步骤的温度为600℃~1000℃，使该第一金属胶料能穿过该钝化层与该矽基板接合，并扩散入该矽基板的背面内，并使该第二金属胶料固化，且该第二金属胶料不致于穿过该钝化层，以完成背面电极结构。 | ||
| 地址 | 新竹县竹东镇中兴路4段195号 | ||