| 发明名称 | 三维相变化记忆体阵列积体电路与其制造方法 | ||
| 摘要 | |||
| 申请公布号 | TWI499104 | 申请公布日期 | 2015.09.01 |
| 申请号 | TW102122114 | 申请日期 | 2013.06.21 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 龙翔澜 |
| 分类号 | H01L45/00;H01L27/112;H01L21/70 | 主分类号 | H01L45/00 |
| 代理机构 | 代理人 | 祁明辉 台北市信义区忠孝东路5段510号22楼;林素华 台北市信义区忠孝东路5段510号22楼 | |
| 主权项 | 一种记忆体装置，包括：一记忆胞，在该些记忆胞之一电流路径中具有相变化记忆材料；以及一电路，耦接于该记忆胞，该电路系用以在该记忆胞中程式化一数据，该数据具有N种资料值中的其中一种资料值，其中N系大于等于2，该N种资料值系以N个电阻的非重叠范围所代表，该相变化记忆材料之N种非晶相厚度系对应于该N种资料值，该记忆胞于该电流路径中不具有非晶相厚度之一状态系不对应于被储存之一资料值。 | ||
| 地址 | 新竹县科学工业园区力行路16号 | ||