用于３Ｄ记忆体应用的ＰＥＣＶＤ氧化物－氮化物及氧化物－矽堆叠

主权项

一种用于沉积一材料层堆叠的方法，包含：(a)将一基板放到一电浆增强化学气相沈积(PECVD)腔室；(b)激发一第一处理气体而形成一第一电浆；(c)从该第一电浆沉积一层一第一材料至该基板上，该层该第一材料在一第一方向具有一第一应力；(d)电浆净化该PECVD腔室，及利用该电浆净化，露出待调理供沉积用的该第一材料的一表面；(e)气体净化该PECVD腔室，以移除所有气体污染物；(f)激发一第二处理气体而形成一第二电浆；(g)从该第二电浆沉积一层一第二材料至该基板上，该层该第二材料在一第二方向具有一第二应力，该第二方向相反于该第一方向；(h)电浆净化该PECVD腔室，及利用该电浆净化，露出待调理供沉积用的该第二材料的一表面；(i)气体净化该PECVD腔室，以移除气体污染物；(j)在该等步骤(b)至(i)的整个过程，维持该PECVD腔室中的一真空；以及(k)反覆进行该等步骤(b)至(j)，直到该基板上已沉积一预定层数的该第一材料和该第二材料，及该基板之一上表面是平坦的。