发明名称 |
半导体元件和在基板中绝缘材料填充沟渠上形成电感之方法 |
摘要 |
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申请公布号 |
TWI498996 |
申请公布日期 |
2015.09.01 |
申请号 |
TW099115261 |
申请日期 |
2010.05.13 |
申请人 |
史达晶片有限公司 |
发明人 |
帕玛纳森 密纳克希;尹胜煜;李熔泽 |
分类号 |
H01L21/70;H01L27/04 |
主分类号 |
H01L21/70 |
代理机构 |
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代理人 |
阎启泰 台北市中山区长安东路2段112号9楼;林景郁 台北市中山区长安东路2段112号9楼 |
主权项 |
一种制造半导体元件的方法,包含:提供一基板;形成一沟渠于该基板中,该沟渠依循着一卷成线圈的路径;形成一第一绝缘层至该沟渠中;沉积一绝缘材料于该第一绝缘层之上以填充该沟渠;形成一第一导电层于该绝缘材料之上;形成一第二绝缘层于该第一绝缘层、该绝缘材料及该第一导电层之上;形成一第二导电层于该第二绝缘层上以作为一线圈进而展现出电感性质且电性接触该第一导电层,透过在该沟渠中的该绝缘材料而将该第一导电层和该第二导电层与该基板隔绝;以及形成一第三绝缘层于该第二绝缘层及该第二导电层之上。
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地址 |
新加坡 |