发明名称 半导体制程
摘要
申请公布号 TWI498968 申请公布日期 2015.09.01
申请号 TW099114468 申请日期 2010.05.06
申请人 英艾芙葆通讯有限责任公司 发明人 张文雄
分类号 H01L21/31;C25D7/12 主分类号 H01L21/31
代理机构 代理人 杨长峯 新北市中和区中正路928号5楼;李国光 新北市中和区中正路928号5楼;张仲谦 新北市中和区中正路928号5楼
主权项 一种制作半导体的方法,其包括:形成一导电基底,其具有贯通该导电基底之一背面与该导电基底之一主动表面的至少一贯孔;于该导电基底之该主动表面上形成至少一连接垫;于该导电基底上形成一绝缘图案,其中该绝缘图案形成于该至少一贯孔之侧壁上;于该绝缘图案上形成一金属图案;以及进行一第一电镀制程,以形成覆盖该金属图案之一保护层,其中该保护层包括一绝缘材料。
地址 美国