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<p>MRAM 어레이들의 저항 메모리 셀들은 기준 셀들로서 지정되고, 이진 0 및 이진 1 상태들로 프로그래밍되고, 이진 0 및 이진 1에서 하나의 MRAM 어레이로부터의 기준 셀들은 다른 MRAM 어레이의 저항 메모리 셀들을 판독하기 위한 기준 전압을 획득하도록 동시에 액세스되고, 이진 0 및 이진 1에서의 다른 MRAM 어레이로부터의 기준 셀들은 하나의 MRAM 어레이의 저항 메모리 셀들을 판독하기 위한 기준 전압을 획득하도록 동시에 액세스된다.</p> |
