| 发明名称 |
半导体装置及其制造方法;SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME |
| 摘要 |
本发明提供一种半导体装置。半导体装置包括一基板，其具有一隔离区及由隔离区所定义的一主动区。至少一沟槽，形成于主动区内，且沿一第一方向延伸。一闸极层，设置于主动区上且沿一第二方向延伸，而顺应性填入至少一沟槽的侧壁及底部上。本发明亦揭示一种半导体装置的制造方法。 |
| 申请公布号 |
TW201533905 |
申请公布日期 |
2015.09.01 |
| 申请号 |
TW103105428 |
申请日期 |
2014.02.19 |
| 申请人 |
世界先进积体电路股份有限公司 VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION |
发明人 |
罗宗仁 LAO, CHUNG REN;刘兴潮 LIU, HSING CHAO;黄志仁 HUANG, CHIH JEN |
| 分类号 |
H01L29/78(2006.01);H01L29/94(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
洪澄文颜锦顺 |
| 主权项 |
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| 地址 |
新竹县新竹科学工业园区园区三路123号 TW |
