自对准闸极边缘和局部互连结构及其制造方法;SELF-ALIGNED GATE EDGE AND LOCAL INTERCONNECT AND METHOD TO FABRICATE SAME

摘要

本发明说明自对准闸极边缘和局部互连结构及制造自对准闸极边缘及局部互连结构的方法。于实例中，半导体结构包括配置在基板上方且具有一长度于第一方向上之半导体鳍部。闸极结构系配置在该半导体鳍部之上，该闸极结构于正交于该第一方向之第二方向上具有在第二端对面之第一端。一对闸极边缘隔离结构系以该半导体鳍部为中心。该对闸极边缘隔离结构的第一者系直接配置邻接于该闸极结构的该第一端，及该对闸极边缘隔离结构的第二者系直接配置邻接于该闸极结构的该第二端。